不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：890pF @ 75V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：57W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 18A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TSDSON-8

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 35µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：21A

Rds On-漏源导通电阻：42mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：12nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：57W

通道模式：Enhancement

封装：CutTape

高度：1.1mm

长度：3.3mm

晶体管类型：1N-Channel

正向跨导 - 最小值：11S

下降时间：3ns

上升时间：5ns

典型关闭延迟时间：10ns

典型接通延迟时间：7ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs